英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析。市场定位：Si：低成本中低频应用（<100kHz）SiC：高压高温场景（EV逆变器、光伏）GaN：高频高效应用（快充、5G基站）
2025-07-03
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号IKW40N65H5（650V/40A）， IKW75N60T（600V/75A），IKW15N120H3（1200V/15A）
发布于：2025-07-03 阅读：43
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号及其详细技术解析，涵盖特性、应用场景及关键参数对比：
1. IKW40N65H5（650V/40A）
核心特性
技术平台：TRENCHSTOP™ 5 H5
电压/电流：650V/40A（@25°C）
导通损耗：V<sub>CE(sat)</sub>=1.55V（@I<sub>C</sub>=20A）
开关频率：≤30kHz（优化开关损耗）
封装：TO-247-3
关键优势
低导通损耗：采用微沟槽技术，比前代降低15%
高鲁棒性：短路耐受时间（t<sub>sc</sub>）达10μs
快速二极管：E<sub>rec</sub>=1.3mJ（降低反向恢复损耗）
典型应用
工业电机驱动（2-5kW）
家用变频空调
中小功率UPS
2. IKW75N60T（600V/75A）
核心特性
技术平台：TRENCHSTOP™ T系列
电压/电流：600V/75A（@25°C）
导通损耗：V<sub>CE(sat)</sub>=1.7V（@I<sub>C</sub>=40A）
开关频率：≤20kHz（针对低频优化）
封装：TO-247-3
关键优势
高电流密度：相同封装下电流提升20%
低热阻：R<sub>thJC</sub>=0.5K/W（散热性能优异）
宽安全工作区：支持高瞬态电流
典型应用
电焊机
电磁炉功率模块
工业加热系统
3. IKW15N120H3（1200V/15A）
核心特性
技术平台：TRENCHSTOP™ H3
电压/电流：1200V/15A（@25°C）
导通损耗：V<sub>CE(sat)</sub>=1.95V（@I<sub>C</sub>=8A）
开关频率：≤15kHz（高压低频场景）
封装：TO-247-3
关键优势
高压可靠性：1200V击穿电压（适合三相电应用）
低关断损耗：E<sub>off</sub>=0.45mJ（@I<sub>C</sub>=8A）
温度稳定性：参数漂移＜5%（-40°C~150°C）
典型应用
光伏逆变器Boost电路
电动汽车充电桩辅助电源
工业变频器
三款型号横向对比
| 参数 | IKW40N65H5 | IKW75N60T | IKW15N120H3 |
|---|---|---|---|
| 电压等级 | 650V | 600V | 1200V |
| 电流能力 | 40A | 75A | 15A |
| V<sub>CE(sat)</sub> | 1.55V | 1.7V | 1.95V |
| 最佳频率 | 30kHz | 20kHz | 15kHz |
| 典型效率 | 98% | 97% | 96% |
| 单价(1k pcs) | $2.8 | $3.2 | $4.5 |
选型建议
优先能效 → 选择IKW40N65H5（H5技术低损耗）
高电流需求 → 选择IKW75N60T（75A大电流）
高压环境 → 选择IKW15N120H3（1200V耐压）
设计资源：
仿真模型：SPICE/PLECS模型官网下载
评估板：EVAL-IKW40N65H5（含驱动电路参考）
如需更详细规格书，请联系
- 转载请注明出处：英飞凌中国代理,北京晶川电子,英飞凌晶川电子,北京晶川
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