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英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）功率器件的全球地位

发布于：2025-07-03 阅读：97

由于英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）功率器件型号众多，且产品线持续更新，以下列出主流量产型号及其关键特性分类。如需完整型号手册，建议访问 Infineon 官网或联系官方代理获取最新数据。

1. 硅基（Si）功率器件

1.1 IGBT 模块

系列	代表料号	电压/电流	特点	应用领域
EconoDUAL™ 3	FF600R12ME4	1200V/600A	低Vce(sat)	工业电机驱动
HybridPACK™ 1	FS800R07A2E3	750V/800A	汽车级	电动车逆变器
PrimePACK™	FF1800R17IP5	1700V/1800A	高功率密度	风电/轨道交通

1.2 分立式 MOSFET

系列	代表料号	电压/电流	Rds(on)	开关频率
CoolMOS™ P7	IPP65R1K2P7	1200V/65A	12mΩ	≤150kHz
OptiMOS™ 6	BSC014N06NS	60V/140A	1.4mΩ	≤1MHz
StrongIRFET™	IRF7749L1	150V/120A	7.7mΩ	≤500kHz

2. 碳化硅（SiC）功率器件

2.1 SiC MOSFET 模块

系列	代表料号	电压/电流	特点	应用领域
CoolSiC™ Easy 1B	FF6MR12W2M1P_B11	1200V/6mΩ	低开关损耗	光伏逆变器
HybridPACK™ Drive	FS820R08A6P3B	820V/820A	汽车级ASIL-D	电动车主驱
XHP™ 2	IM828-XCC	1200V/800A	双面冷却	工业电源

2.2 分立式 SiC MOSFET

系列	代表料号	电压/电流	Rds(on)	开关频率
CoolSiC™ G6	IMZ120R030M1H	1200V/120A	30mΩ	≤500kHz
CoolSiC™ S6	IDW30G120C5	1200V/30A	120mΩ	≤300kHz

2.3 SiC 二极管

系列	代表料号	电压/电流	Trr
CoolSiC™ Schottky	IDH20G120C5	1200V/20A	0ns

3. 氮化镓（GaN）功率器件

3.1 分立式 GaN HEMT

系列	代表料号	电压/电流	Rds(on)	开关频率
CoolGaN™ 600V	IGT60R070D1	600V/60A	70mΩ	≤1MHz
CoolGaN™ 100V	IGOT60R070D1	100V/60A	7mΩ	≤5MHz

3.2 GaN 集成模块

系列	代表料号	电压/功率	特点
GaN EZ-PD™	CYPDC1165-24LQXQ	24V/65W	USB PD 3.1快充

4. 选型对比总结

参数	Si	SiC	GaN
最佳电压范围	<1700V	600V-3300V	100V-650V
效率优势	92-95%	96-99%	95-98%
成本($/A)	0.02-0.05	0.15-0.30	0.10-0.20
主流供应商	Infineon/ST	Wolfspeed/ROHM	Navitas/EPC

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