-
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析。市场定位：Si：低成本中低频应用（<100kHz）SiC：高压高温场景（EV逆变器、光伏）GaN：高频高效应用（快充、5G基站）
-
英飞凌全系SiC MOSFET，650V、750V、1200V、2000V
英飞凌全系SiC MOSFET，650V、750V、1200V、2000V。
-
英飞凌（Infineon）碳化硅（SiC）特点
英飞凌（Infineon）碳化硅（SiC）。
-
英飞凌IPZA60R099CM8
英飞凌IPZA60R099CM8。
-
英飞凌IGBT应用指南 选型关键参数 典型应用电路设计 PCB布局建议
英飞凌IGBT应用指南，选型关键参数 典型应用电路设计 PCB布局建议。
-
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号IKW40N65H5（650V/40A）， IKW75N60T（600V/75A），IKW15N120H3（1200V/15A）
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号：优先能效 → 选择IKW40N65H5（H5技术低损耗）；高电流需求 → 选择IKW75N60T（75A大电流）；高压环境 → 选择IKW15N120H3（1200V耐压）。
-
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件汽车电子应用全集
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件汽车电子应用全集——从芯片到系统的技术霸权之路1. 汽车电动化革命与功率器件需求1.1 电压平台升级路线400V系统：Si-IGBT主导（2023年占比72%）800V系统：SiC MOSFET爆···
-
英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓） 功率器件的全球地位
英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓） 功率器件型号众多。英飞凌全球地位，功率半导体市场占有率 19.3%（Omdia数据），SiC领域 34%（Yole统计），GaN消费电子市场 2···
最新资讯
英飞凌全系SiC MOSFET，650V、750V、1200V、2000V
英飞凌（Infineon）碳化硅（SiC）特点
英飞凌IPZA60R099CM8
英飞凌IGBT应用指南 选型关键参数 典型应用电路设计 PCB布局建议
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号IKW40N65H5（650V/40A）， IKW75N60T（600V/75A），IKW15N120H3（1200V/15A）
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件汽车电子应用全集
英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓） 功率器件的全球地位
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析