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英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件全对比分析。市场定位：Si：低成本中低频应用（<100kHz）SiC：高压高温场景（EV逆变器、光伏）GaN：高频高效应用（快充、5G基站）
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2025年CSP-S考试大纲
2025年CSP-S（提高级）考试大纲进行了一些调整，难度有一定提高，部分NOI级别算法下放到提高组。下面我将为你梳理这些主要变化和核心知识点。2025年CSP-S考试大纲分析与备考指南大纲主要变化概述···
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英飞凌（Infineon）的IGBT模块和功率器件在逆变器领域
英飞凌（Infineon）的IGBT模块和功率器件在逆变器领域.
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英飞凌汽车IGBT（绝缘栅双极型晶体管） 新能源汽车电驱动系统的核心功率器件
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英飞凌功率半导体在汽车领域的核心应用
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英飞凌全系SiC MOSFET，650V、750V、1200V、2000V
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英飞凌（Infineon）碳化硅（SiC）特点
英飞凌（Infineon）碳化硅（SiC）。
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英飞凌IPZA60R099CM8
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英飞凌IGBT应用指南 选型关键参数 典型应用电路设计 PCB布局建议
英飞凌IGBT应用指南，选型关键参数 典型应用电路设计 PCB布局建议。
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英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号IKW40N65H5（650V/40A）， IKW75N60T（600V/75A），IKW15N120H3（1200V/15A）
英飞凌（Infineon）三款最常用的IGBT单管型号：优先能效 → 选择IKW40N65H5（H5技术低损耗）；高电流需求 → 选择IKW75N60T（75A大电流）；高压环境 → 选择IKW15N120H3（1200V耐压）。
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英飞凌Si/SiC/GaN功率器件汽车电子应用全集
英飞凌Si/SiC/GaN功率器件汽车电子应用全集——从芯片到系统的技术霸权之路1. 汽车电动化革命与功率器件需求1.1 电压平台升级路线400V系统：Si-IGBT主导（2023年占比72%）800V系统：SiC MOSFET爆···
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英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓） 功率器件的全球地位
英飞凌（Infineon）的 Si（硅基）、SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓） 功率器件型号众多。英飞凌全球地位，功率半导体市场占有率 19.3%（Omdia数据），SiC领域 34%（Yole统计），GaN消费电子市场 2···
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