IRF630NPBF 英飞凌 N沟道功率MOSFET

英飞凌（Infineon）的 IRF630NPBF 是一款经典的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。以下是其详细介绍：

1. 关键参数

• 型号: IRF630NPBF

• 类型: N沟道MOSFET

• 封装: TO-220AB（直插式，便于散热）

• 极性: 增强型（常闭型，需正栅极电压导通）

• 最大漏源电压（V_DSS）: 200V

• 连续漏极电流（I_D）:

• 25°C时: 9.3A

• 100°C时: 6.2A（需降额使用）

• 脉冲漏极电流（I_DM）: 37A

• 栅源电压（V_GS）: ±20V（推荐工作范围±10V）

• 导通电阻（R_DS(on)）:

• V_GS=10V时: 0.4Ω（典型值）

• 功耗（P_D）: 75W（需配合散热器）

• 开关特性:

• 开启延迟时间（t_d(on)）: 10ns

• 关断延迟时间（t_d(off)）: 55ns

2. 特点

• 高电压能力：200V耐压，适合中高压应用。

• 低导通损耗：R_DS(on)较低，减少导通时的功率损耗。

• 快速开关：适合高频开关电路（如PWM控制）。

• 可靠性高：工业级标准，通过RoHS认证（NPBF表示无铅封装）。

3. 典型应用

• 电源设计: 开关电源（SMPS）、DC-DC转换器。

• 电机驱动: 直流电机、步进电机H桥电路。

• 照明控制: LED驱动、电子镇流器。

• 音频放大器: Class D放大器输出级。

4. 引脚定义（TO-220AB封装）

1. Gate (G): 栅极（控制端，需驱动电路提供电压）。

2. Drain (D): 漏极（接高电压/负载）。

3. Source (S): 源极（接地或返回路径）。

5. 使用注意事项

• 驱动电压：确保V_GS≥10V以充分导通（降低R_DS(on)）。

• 散热设计：TO-220封装需配合散热器，避免过热（热阻R_θJA≈62°C/W）。

• 防静电（ESD）：MOSFET栅极敏感，操作时需防静电措施。

• 体二极管：内置寄生二极管，感性负载（如电机）需考虑续流路径。

6. 替代型号

• 同系列升级: IRF640（V_DSS=200V，I_D=18A，R_DS(on)=0.15Ω）。

• 其他对标品牌:     。

7. 数据手册参考

• 详细参数请查阅英飞凌官方Datasheet:
  或联系英飞凌中国代理 。

如需具体电路设计建议或选型对比，可进一步说明应用场景！

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